T02D F10D待机时间看不懂啊~~~

waneft

普通会员
2005-10-05
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[i=s] 本帖最后由 waneft 于 2012-7-31 17:29 编辑 [/i]

T02DF10D


两台机子比较 QHD:HD EL:TFT
4.3:4.6
双核:四核
28nm: 40nm
同厂家
同1800mah
怎么看都应该是T02D省点吧??求解释~~~

 

Rozenlan

普通会员
2010-05-17
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除了LTE应该是F10d省点~虽然硬件上是10d高点 但是工艺和优化上的差别即使是屏幕小处理器低点也照样耗电~~
 

waneft

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2005-10-05
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Rozenlan 发表于 2012-7-31 17:32
除了LTE应该是F10d省点~虽然硬件上是10d高点 但是工艺和优化上的差别即使是屏幕小处理器低点也照样耗电~~
同家产品何苦厚此薄彼?
 

苍穹之恋

普通会员
2011-01-15
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第一旗舰只有一台,富士通应该没傻到再和冬季一样出两台吧。
第二谁说28nm就一定省电了?那是对工艺相同的情况而言,8960的工艺很明显的落后
 

waneft

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2005-10-05
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苍穹之恋 发表于 2012-7-31 18:08
第一旗舰只有一台,富士通应该没傻到再和冬季一样出两台吧。
第二谁说28nm就一定省电了?那是对工艺相同的 ...
28nm不就是工艺么??你说的落后指的是什么??
 

waneft

普通会员
2005-10-05
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苍穹之恋 28nm是制程谢谢
拜托 制程就是工艺制程的简称 搞清楚再说好不好...还8960的工艺很明显的落后 28nm比40nm落后很多是么...
 

苍穹之恋

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2011-01-15
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waneft 发表于 2012-7-31 22:15
拜托 制程就是工艺制程的简称 搞清楚再说好不好...还8960的工艺很明显的落后 28nm比40nm落后很多是么...
又一个被骗的,Tegra3和4412一样采用最先进的HKMG工艺。区别在Tegra3是40NM,主4核心为grand power,为高功耗准备,协核心为lower power,为低功耗准备,整体为最先进的vSMP构架,omap5系也是这个。4412是30NM,4核心为lower power,整体为SMP构架,除高通外的双核基本都是这个。8960是旧的SiON工艺,28NM,2核心为lower power,为低功耗准备,整体为aSMP构架,这个只有高通用,和SMP构架比优缺点并存。
 

waneft

普通会员
2005-10-05
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苍穹之恋 发表于 2012-7-31 22:38
又一个被骗的,Tegra3和4412一样采用最先进的HKMG工艺。区别在Tegra3是40NM,主4核心为grand power,为高 ...
嗯嗯 查了一下 了解了 哈哈 谢啦~~高通就知道玩异步 玩垃圾工艺 没救了
 

waneft

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2005-10-05
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waneft 发表于 2012-8-1 00:12
嗯嗯 查了一下 了解了 哈哈 谢啦~~高通就知道玩异步 玩垃圾工艺 没救了
嗯嗯 好的 我之前也没觉得S4有多好 但是以为至少制程优势可以省电些 可是...
 

007sh

普通会员
2012-06-16
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苍穹之恋 发表于 2012-7-31 22:38
又一个被骗的,Tegra3和4412一样采用最先进的HKMG工艺。区别在Tegra3是40NM,主4核心为grand power,为高 ...
技术残~!了解一下~!
 

迦叶洛浠

手机玩家
2011-07-02
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我记得富士通的四核机子在处理不是必要任务时候用一个类似于影核的东西,而且内核调整cpu频率波动应该也有关系